參數(shù)資料
型號： SKP15N60
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
中文描述： 快速的S - IGBT的不擴散核武器條約與軟，恢復(fù)快反平行快恢復(fù)二極管（不擴散技術(shù)中的快速第S - IGBT技術(shù)）
文件頁數(shù)： 10/14頁
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代理商： SKP15N60
SKP15N60
SKB15N60, SKW15N60
10
Mar-00
I
F
,
F
0.0V
0.5V
V
F
,
FORWARD VOLTAGE
1.0V
1.5V
2.0V
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
150°C
-55°C
25°C
100°C
V
F
,
F
-40°C
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 26. Typical diode forward voltage as
a function of junction temperature
0°C
40°C
80°C
120°C
1.0V
1.5V
2.0V
Figure 25. Typical diode forward current as
a function of forward voltage
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 27. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
I
F
= 15A
I
F
= 30A
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(1/W )
0.311
0.271
0.221
0.584
0.314
τ
,
(s)
=
7.83*10
-2
1.21*10
-2
1.36*10
-3
1.53*10
-4
2.50*10
-5
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PDF描述
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