參數(shù)資料
型號(hào)： SI4955DY-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Asymmetrical Dual P-Channel 30-V/20-V (D-S) MOSFETs
中文描述： 非對(duì)稱雙P溝道30-V/20-V（副）的MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： SI4955DY-T1-E3
www.vishay.com
4
Document Number: 72241
S-61006-Rev. C, 12-Jun-06
Vishay Siliconix
Si4955DY
CHANNEL 1 TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C unless noted
Source-Drain Diode Forward Voltage
Threshold Voltage
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
-
I
S
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
= 150
°
C
30
10
1
T
J
= 25
°
C
V
V
G
T
J
- Temperature (°C)
- 0.4
- 0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250
μ
A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power
-
Ω
)
r
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
2
4
6
8
10
I
D
= 5 A
I
D
= 2 A
0
20
30
10
15
P
Time (sec)
25
1
100
600
10
10-
1
10-
2
10-
3
5
Safe Operating Area
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
10
0.01
0.1
1
10
100
1
100
dc
0.1
P(t) = 10
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
T
= 25 °C
Single Pulse
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
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PDF描述
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參數(shù)描述
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