參數(shù)資料
型號： SI4955DY-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Asymmetrical Dual P-Channel 30-V/20-V (D-S) MOSFETs
中文描述： 非對稱雙P溝道30-V/20-V（副）的MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 137K
代理商： SI4955DY-T1-E3
Document Number: 72241
S-61006-Rev. C, 12-Jun-06
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
Si4955DY
CHANNEL 1 TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C unless noted
Output Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current
Gate Charge
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
= 10 thru 5 V
4 V
3 V
-
Ω
)
r
D
I
D
- Drain Current (A)
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
G
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
= 15 V
I
D
= 5.0 V
Transfer Characteristics
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
T
C
= 125
°
C
- 55
°
C
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
25
°
C
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
0
200
400
600
800
1000
0
6
12
18
24
30
C
rss
C
oss
C
iss
T
J
- Junction Temperature (
°
C)
(
-
r
D
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 10 V
I
D
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PDF描述
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