參數(shù)資料
型號(hào)： SI3586DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 88K
代理商： SI3586DV
Si3586DV
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72310
S-32412—Rev. B, 24-Nov-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
0.01
0
1
6
8
2
4
10
30
0.1
P
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
Time (sec)
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
1.0
1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0
1
2
3
4
5
0.1
1
10
I
D
= 3.4 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
10
0.1
0.1
1
10
100
0.01
1 ms
I
D
1
Limited by r
DS(on)
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
dc
1 s
10 s
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PDF描述
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