參數(shù)資料
型號(hào)： SI3586DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 88K
代理商： SI3586DV
Si3586DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72310
S-32412—Rev. B, 24-Nov-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
r
0
0.00
1
2
3
4
5
6
7
8
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0
1
2
3
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5
6
7
8
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1
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1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
100
200
300
400
500
600
0
4
8
12
16
20
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
V
GS
= 5 thru 2 V
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
25 C
T
C
= 125 C
V
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
rss
C
oss
C
iss
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
)
V
GS
= 4.5 V
1.5 V
55 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.4 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.4 A
V
GS
= 2.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3590DV N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3863DV AB 47C 1#12 46#16 PIN RECP
SI3905DV Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
SI4300DY N-Channel 30-V (D-S), Reduced Qg Fast Switching MOSFET with Schottky Diode
SI4300DY-TI N-Channel 30-V (D-S), Reduced Qg Fast Switching MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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