參數(shù)資料
型號： SGW5N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK型絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 370K
代理商： SGW5N60RUFD
Fig.8 Typical Switching Loss vs.
Gate Resistance
Fig.9 Typical Switching Loss vs.
Case Temperature
Fig.10 Typical Switching loss vs.
Collector to Emitter Current
Fig.11 Turn-off SOA
2
4
6
8
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Vcc = 300V
Rg =40
Tc = 100
&
Eon
Eoff
Esw
E
Ic [A]
20
40
60
80
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Vcc = 300V
Rg =40
Vge = 15V
Ic = 2.5A
Ic =5A
Ic =10A
E
Tc [
&
]
0
100
200
300
400
50
100
150
200
250
300
350
400
450
Vcc = 300V
Ic = 5A
Esw
Eon
Eoff
E
Rg [
&
]
1
10
100
1000
1
10
Safe Operating Area
Vge = 20V, Tc = 100
&
I
Vce [V]
CO-PAK IGBT
SGW5N60RUFD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUF Short Circuit Rated IGBT(額定短路電流絕緣柵雙極晶體管)
SH123 Voltage Regulator
SH223 Voltage Regulator
SH123SM Voltage Regulator
SH223SV Voltage Regulator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW5N60RUFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW5N60RUFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW6N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/3A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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