參數(shù)資料
型號： SGW5N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK型絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 370K
代理商： SGW5N60RUFD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (DIODE PART)
(T
C
=25
°
C, Unless Otherwise Specified)
Min
Test Conditions
I
F
=8.0A
I
F
=8.0A, V
R
=200V
-di/dt=200A/
μ
s
T
C
=25
°
C
T
C
=100
°
C
T
C
=25
°
C
T
C
=100
°
C
T
C
=25
°
C
T
C
=100
°
C
T
C
=25
°
C
T
C
=100
°
C
Characteristics
Diode Forward Voltage
Diode Reverse
Recovery Time
Diode Peak Reverse
Recovery Current
Diode Reverse
Recovery Charge
Symbol
V
FM
Trr
Irr
Qrr
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ
1.4
1.3
37
55
3.5
4.5
65
124
Max
1.7
-
55
-
5.0
-
138
-
Units
V
ns
A
nC
THERMAL RESISTANCE
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JA
Characteristics
Junction-to-Case (IGBT)
Junction-to-Case (DIODE)
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Units
°
C/W
°
C/W
°
C/W
Typ
-
-
-
Max
2.0
3.5
40
Min
-
-
-
CO-PAK IGBT
SGW5N60RUFD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUF Short Circuit Rated IGBT(額定短路電流絕緣柵雙極晶體管)
SH123 Voltage Regulator
SH223 Voltage Regulator
SH123SM Voltage Regulator
SH223SV Voltage Regulator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW5N60RUFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW5N60RUFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW6N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/3A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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