參數(shù)資料
型號： SGW5N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK型絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 370K
代理商： SGW5N60RUFD
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration [sec]
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
Fig.5 Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Fig.6 Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig.7 Typical Gate Charge vs.
Gate to Emitter Voltage
1
10
100
200
300
400
500
600
Cres
Coes
Cies
C
Vce [V]
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vcc = 300V
Ic = 5A
V
G
Qg [nC]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm x Zthjc + Tc
CO-PAK IGBT
SGW5N60RUFD
相關PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUF Short Circuit Rated IGBT(額定短路電流絕緣柵雙極晶體管)
SH123 Voltage Regulator
SH223 Voltage Regulator
SH123SM Voltage Regulator
SH223SV Voltage Regulator
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SGW5N60RUFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW6N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/3A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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