參數(shù)資料
型號(hào)： SGW5N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： CO-PAK IGBT(CO-PAK型絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 370K
代理商： SGW5N60RUFD
Characteristics
C - E Breakdown Voltage
Temperature Coeff. of
Breakdown Voltage
G - E threshold voltage
Collector cutoff Current
G - E leakage Current
Collector to Emitter
saturation voltage
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn on delay time
Turn on rise time
Turn off delay time
Turn off fall time
Turn on Switching Loss
Turn off Switching Loss
Total Switching Loss
Short Circuit withstand Time
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Symbol
BV
CES
V
CES/
T
J
V
GE(th)
I
CES
I
GES
V
CE
(sat)
Cies
Coes
Cres
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
T
SC
Qg
Qge
Qgc
Min
600
-
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
Typ
-
0.6
6.0
-
-
2.0
2.5
337
60
13
9
18
46
140
80
100
180
-
24
7
8
Max
-
-
8.0
250
100
2.7
-
-
-
-
-
-
75
280
-
-
270
-
36
10
12
Units
V
V/
°
C
V
μ
A
nA
V
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
μ
J
μ
J
μ
J
μ
s
nC
nC
nC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (IGBT PART)
(T
C
=25
°
C, Unless Otherwise Specified)
Test Conditions
V
GE
= 0V , I
C
= 250uA
V
GE
= 0V , I
C
= 1mA
I
C
= 5mA , V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
=5A, V
GE
= 15V
I
C
=8A, V
GE
= 15V
V
GE
= 0V , f = 1MHz
V
CE
= 30V
V
CC
= 300V , I
C
= 5A
V
GE
= 15V
R
G
= 40
Inductive Load
V
CC
= 300V, V
GE
= 15V
@T
C
= 100
°
C
V
CC
= 300V
V
GE
= 15V
I
C
= 5A
CO-PAK IGBT
SGW5N60RUFD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUF Short Circuit Rated IGBT(額定短路電流絕緣柵雙極晶體管)
SH123 Voltage Regulator
SH223 Voltage Regulator
SH123SM Voltage Regulator
SH223SV Voltage Regulator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SGW5N60RUFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/5A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW6N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/3A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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