參數(shù)資料
型號： SGW23N60UFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 618K
代理商： SGW23N60UFDTM
SGW23N60UFD Rev. A1
S
G
W23N60UFD
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
100
1000
0
20
40
60
80
100
V
R = 200V
I
F = 12A
T
C =
25℃
T
C = 100
℃
Re
v
e
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T
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300
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500
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V
R = 200V
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T
C = 100
℃
Forward Voltage Drop, V
FM [V]
F
o
rw
ar
d
Cu
rr
en
t,
I
F
[A
]
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUFDTM
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SHC-21-001 0.75 mm2, BRASS, WIRE TERMINAL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW23N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGW25N120E8161 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 46A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 46A 313W TO247-3
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