參數(shù)資料
型號： SGW23N60UFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 618K
代理商： SGW23N60UFDTM
SGW23N60UFD Rev. A1
S
G
W23N60UFD
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.005
0.01
0.1
1
5
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
h
erm
a
lR
e
sp
on
se,
Zth
jc
[
℃
/W
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
200
Safe Operating Area
V
GE = 20V, TC = 100
℃
C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t,
I C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
× Zthjc + T
C
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
4
8
12
16
20
24
10
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= ± 15V
R
G
= 23
T
C
=
25℃
T
C
= 125℃
Swi
tch
in
g
Loss
[
u
J]
Collector Current, I
C
[A]
0
102030
40
50
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC = 100 V
Common Emitter
R
L = 25
T
C = 25
℃
G
a
te
-
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e
,
V
GE
[
V
]
Gate Charge, Q
g [ nC ]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
300
Single Nonrepetitive
Pulse TC = 25℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
IC MAX. (Continuous)
IC MAX. (Pulsed)
C
o
llec
to
rC
u
rr
en
t,
I C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUFDTM
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SHC-21-001 0.75 mm2, BRASS, WIRE TERMINAL
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參數(shù)描述
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