參數(shù)資料
型號(hào)： SGW23N60UFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 618K
代理商： SGW23N60UFDTM
SGW23N60UFD Rev. A1
S
G
W23N60UFD
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 25
℃
24A
12A
I
C = 6A
C
o
lle
ct
or
-
E
m
itte
r
Vo
lt
age,
V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
5
10
15
20
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C = 100
℃
Power Dissipation = 21W
V
CC = 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
Lo
ad
C
u
rr
ent
[A
]
0.5
1
10
0
10
20
30
40
50
Common Emitter
V
GE = 15V
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
C
o
llect
o
rC
u
rre
n
t,
I C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. VGE
Fig 6. Saturation Voltage vs. VGE
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 125
℃
24A
12A
I
C = 6A
C
o
lle
c
to
r-
E
m
itt
e
rV
o
lt
a
g
e
,
V
C
E
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
030
60
90
120
150
0
1
2
3
4
24A
12A
I
C = 6A
Common Emitter
V
GE = 15V
Co
llec
to
r-
Em
it
ter
Vol
tage,
V
CE
[V
]
Case Temperature, T
C [
℃]
0246
8
0
20
40
60
80
100
20V
12V
15V
V
GE = 10V
Common Emitter
T
C = 25
℃
Col
lec
to
rCu
rr
en
t,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUFDTM
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SHC-21-001 0.75 mm2, BRASS, WIRE TERMINAL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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