參數(shù)資料
型號： SGW23N60UFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 618K
代理商： SGW23N60UFDTM
Product Folder - Fairchild P/N SGW23N60UFD - Discrete, High Performance IGBT with Diode
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
SGW23N60UFDTM
Full Production
$1.88
TO-263(D2PAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
space
space
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW5N60RUFDTM
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SHC-21-001 0.75 mm2, BRASS, WIRE TERMINAL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW23N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120_09 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
SGW25N120E8161 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW25N120FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 46A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 46A 313W TO247-3
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