參數(shù)資料
型號(hào)： SGF23N60UFD
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 607K
代理商： SGF23N60UFD
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF23N60UFD Rev. A
S
Package Dimension
15.50
±
0.20
3.60
±
0.20
2
±
0
4
±
0
1
±
0
1
±
0
10
°
1
±
0
2
±
0
2
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
2.00
±
0.20
2.00
±
0.20
4.00
±
0.20
2.00
±
0.20
0.85
±
0.03
2.00
±
0.20
5.50
±
0.20
3.00
±
0.20
(1.50)
3.30
±
0.20
2
±
0
1
±
0
3
±
0
2
±
0
5
±
0
0.75
+0.20
–0.10
0.90
+0.20
–0.10
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
TO-3PF (FS PKG CODE AG)
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGF23N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGF30N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGF40N60UFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGF40N60 High Speed Switching
SGF80N60UFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGF23N60UFDM1TU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF23N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF23N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF25 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:For C- to X-band local oscillator and amplifier
SGF25-TR-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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