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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SGF23N60UFD |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness |
| 中文描述： | 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 607K |
| 代理商： | SGF23N60UFD |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF23N60UFD Rev. A
S
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
Rectangular Pulse Duration [sec]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
300
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
200
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
4
8
12
16
20
24
10
100
1000
Eoff
Eon
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 23
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
0
10
20
30
40
50
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC
= 100 V
Common Emitter
R
L
= 25
T
C
= 25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[ nC ]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
×
Zthjc + T
C
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGF23N60UF | CONNECTOR ACCESSORY |
| SGF30N60RUFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| SGF40N60UFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| SGF40N60 | High Speed Switching |
| SGF80N60UFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGF23N60UFDM1TU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGF23N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGF23N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGF25 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:For C- to X-band local oscillator and amplifier |
| SGF25-TR-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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