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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SGF23N60UFD |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness |
| 中文描述： | 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 607K |
| 代理商： | SGF23N60UFD |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF23N60UFD Rev. A
S
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
24A
12A
I
C
= 6A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
24A
12A
I
C
= 6A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
30
60
90
120
150
0
1
2
3
4
24A
12A
I
C
= 6A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0.5
1
10
0
10
20
30
40
50
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0.1
1
100
1000
0
3
6
9
12
15
18
V
= 300V
Load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
T
= 100
℃
Power Dissipation = 16W
Frequency [KHz]
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGF23N60UF | CONNECTOR ACCESSORY |
| SGF30N60RUFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| SGF40N60UFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| SGF40N60 | High Speed Switching |
| SGF80N60UFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGF23N60UFDM1TU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGF23N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGF23N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGF25 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:For C- to X-band local oscillator and amplifier |
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