參數資料
型號： SGF23N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness
中文描述： 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數： 6/8頁
文件大?。?/td> 607K
代理商： SGF23N60UFD
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF23N60UFD Rev. A
S
100
1000
0
20
40
60
80
100
V
= 200V
I
F
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
r
di/dt [A/us]
100
1000
0
100
200
300
400
500
600
V
= 200V
I
F
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
S
r
di/dt [A/us]
100
1000
1
10
100
V
= 200V
I
F
= 12A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
di/dt [A/us]
1
10
100
0
1
2
3
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
Forward Voltage Drop, V
FM
[V]
F
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
相關PDF資料
PDF描述
SGF23N60UF CONNECTOR ACCESSORY
SGF30N60RUFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGF40N60UFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGF40N60 High Speed Switching
SGF80N60UFD CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
相關代理商/技術參數
參數描述
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SGF23N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGF23N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V/12A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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