參數資料
型號： SGD06N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴散核武器條約快速IGBT技術
文件頁數： 5/12頁
文件大小： 396K
代理商： SGD06N60
SGP06N60,
SGD06N60,
SGB06N60
SGU06N60
5
Jul-02
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
5A
10A
15A
20A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
GE
=20V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
5A
10A
15A
20A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
V
GE
=20V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
0V
2V
4V
6V
8V
10V
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
14A
16A
18A
20A
-55°C
+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 10V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
I
C
= 6A
I
C
= 12A
相關PDF資料
PDF描述
SGP06N60 Fast IGBT in NPT-technology
SGU06N60 HEATSINK TO-3 PWR 12W BLK
SGB15N120 Fast IGBT in NPT-technology
SGP15N120 Fast IGBT in NPT-technology
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相關代理商/技術參數
參數描述
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