參數(shù)資料
型號(hào)： S3F49FAXZA
元件分類： 存儲(chǔ)控制器/管理單元
英文描述： FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 18/27頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： S3F49FAXZA
SPECIFICATION
S3F49FAX
24
Table 13. D.C. Electrical Characteristics (In Case of 5V Interface I/O)
(VDD = 5.0 ± 0.5V, TA = -25 to 85 οC)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
CMOS
3.5
VIH
High level input voltage
TTL
2.0
V
CMOS
1.5
VIL
Low level input voltage
TTL
0.8
V
CMOS
2.45
VT
Switching threshold
TTL
1.45
V
CMOS
3.0
3.5
VT+
Switching trigger, positive-
going threshold
TTL
1.8
2.0
V
CMOS
1.5
2.0
VT-
Switching trigger, negative-
going threshold
TTL
0.8
1.1
V
Input buffer
–10
10
IIH
High level input current
Input buffer
with pull-up
VIN = VDD
10
100
200
A
Input buffer
–10
10
IIL
Low level input current
Input buffer
with pull-up
VIN = VSS
–200
–100
–10
A
Type B4
IOH = –4 mA
VOH
High level output voltage
Type B8
IOH = –8 mA
VDD–0.8
V
Type B4
IOL = 4 mA
VOL
Low level output voltage
Type B8
IOL = 8 mA
0.4
V
IOZ
Tri-state output leakage current
VOUT =
VSS or VDD
–10
10
A
IDD
Maximum operating current
55
80
mA
IDS
Stop current
VDD = 5.0 V,
VCON = 2.2 V
200
250
A
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PDF描述
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