參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL256M10TFIR10
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2?3?; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8
中文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56
封裝： LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 92/160頁(yè)
文件大小： 2142K
代理商： S29GL256M10TFIR10
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92
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
SA204–SA207
SA208–SA211
SA212–SA215
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Table 26. S29GL256M Sector Group Protection/Unprotection Address Table (Continued)
Sector Group
A23–A15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL256M10TFIR12 MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2/3; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8
S29GL256M10TFIR13 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR20 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR22 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
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參數(shù)描述
S29GL256M11FAIR10 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL256M11FAIR12 制造商:Spansion 功能描述:256M (32MX8/16MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA64 IND - Trays
S29GL256M11FAIR2 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 16M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA
S29GL256M11FAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL256M11FFIR10 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash Memory IC
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