參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL256M10TFIR10
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2?3?; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8
中文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56
封裝： LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 126/160頁(yè)
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL256M10TFIR10
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126
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Figure 13. Read Operation Timings
Figure 14. Page Read Timings
t
OH
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
A23
-
A2
CE#
OE#
A1
-
A0*
Data Bus
Same Page
Aa
Ab
Ac
Ad
Qa
Qb
Qc
Qd
t
ACC
t
PACC
t
PACC
t
PACC
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PDF描述
S29GL256M10TFIR12 MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2/3; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8
S29GL256M10TFIR13 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR20 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR22 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
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