參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL256M10TFIR10
廠商： SPANSION LLC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2?3?; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8
中文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56
封裝： LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 51/160頁(yè)
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL256M10TFIR10
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
51
P r e l i m i n a r y
SA115
1110011xxx
64/32
730000h–73FFFFh
398000h–39FFFFh
SA116
1110100xxx
64/32
740000h–74FFFFh
3A0000h–3A7FFFh
SA117
1110101xxx
64/32
750000h–75FFFFh
3A8000h–3AFFFFh
SA118
1110110xxx
64/32
760000h–76FFFFh
3B0000h–3B7FFFh
SA119
1110111xxx
64/32
770000h–77FFFFh
3B8000h–3BFFFFh
SA120
1111000xxx
64/32
780000h–78FFFFh
3C0000h–3C7FFFh
SA121
1111001xxx
64/32
790000h–79FFFFh
3C8000h–3CFFFFh
SA122
1111010xxx
64/32
7A0000h–7AFFFFh
3D0000h–3D7FFFh
SA123
1111011xxx
64/32
7B0000h–7BFFFFh
3D8000h–3DFFFFh
SA124
1111100xxx
64/32
7C0000h–7CFFFFh
3E0000h–3E7FFFh
SA125
1111101xxx
64/32
7D0000h–7DFFFFh
3E8000h–3EFFFFh
SA126
1111110xxx
64/32
7E0000h–7EFFFFh
3F0000h–3F7FFFh
SA127
1111111000
8/4
7F0000h–7F1FFFh
3F8000h–3F8FFFh
SA128
1111111001
8/4
7F2000h–7F3FFFh
3F9000h–3F9FFFh
SA129
1111111010
8/4
7F4000h–7F5FFFh
3FA000h–3FAFFFh
SA130
1111111011
8/4
7F6000h–7F7FFFh
3FB000h–3FBFFFh
SA131
1111111100
8/4
7F8000h–7F9FFFh
3FC000h–3FCFFFh
SA132
1111111101
8/4
7FA000h–7FBFFFh
3FD000h–3FDFFFh
SA133
1111111110
8/4
7FC000h–7FDFFFh
3FE000h–3FEFFFh
SA134
1111111111
8/4
7FE000h–7FFFFFh
3FF000h–3FFFFFh
Table 9. S29GL064M (Model R4) Bottom Boot Sector Architecture
Sector
Sector Address
A21–A12
Sector Size
(Kbytes/Kwords)
(x8)
Address Range
(x16)
Address Range
SA0
0000000000
8/4
000000h–001FFFh
00000h–00FFFh
SA1
0000000001
8/4
002000h–003FFFh
01000h–01FFFh
SA2
0000000010
8/4
004000h–005FFFh
02000h–02FFFh
SA3
0000000011
8/4
006000h–007FFFh
03000h–03FFFh
SA4
0000000100
8/4
008000h–009FFFh
04000h–04FFFh
SA5
0000000101
8/4
00A000h–00BFFFh
05000h–05FFFh
SA6
0000000110
8/4
00C000h–00DFFFh
06000h–06FFFh
SA7
0000000111
8/4
00E000h–00FFFFFh
07000h–07FFFh
SA8
0000001xxx
64/32
010000h–01FFFFh
08000h–0FFFFh
SA9
0000010xxx
64/32
020000h–02FFFFh
10000h–17FFFh
SA10
0000011xxx
64/32
030000h–03FFFFh
18000h–1FFFFh
SA11
0000100xxx
64/32
040000h–04FFFFh
20000h–27FFFh
SA12
0000101xxx
64/32
050000h–05FFFFh
28000h–2FFFFh
Table 8. S29GL064M (Model R3) Top Boot Sector Architecture (Continued)
Sector
Sector Address
A21–A12
Sector Size
(Kbytes/Kwords)
(x8)
Address Range
(x16)
Address Range
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL256M10TFIR12 MOSFET, Switching; VDSS (V): 60; ID (A): 6; Pch : 2/3; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.028; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.04]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1000; toff (µs) typ: 0.06; Package: SOP-8
S29GL256M10TFIR13 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR20 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR22 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10TFIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL256M11FAIR10 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL256M11FAIR12 制造商:Spansion 功能描述:256M (32MX8/16MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA64 IND - Trays
S29GL256M11FAIR2 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 16M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA
S29GL256M11FAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL256M11FFIR10 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash Memory IC
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