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參數(shù)資料
| 型號： | S29AL032D90TFI043 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 59/67頁 |
| 文件大小： | 1708K |
| 代理商： | S29AL032D90TFI043 |
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60
S29AL032D
S29AL032D_00_A8 November 2, 2006
Da ta
Sh e e t
18. Erase and Programming Performance
Notes
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25
°C, V
CC = 3.0 V, 100,000 cycles, checkerboard data pattern.
2. Under worst case conditions of 90°C, VCC = 2.7 V, 1,000,000 cycles.
3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most bytes program faster than the maximum
program times listed.
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.
5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program command. See Table 11.2 for further information on
command definitions.
6. The device has a minimum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles per sector.
7. At extended temperature range (>+85°C), typical erase time is 1.75 s and maximum erase time is 25 s.
8. At extended temperature range (>+85°C), typical erase time is 112 s.
19. TSOP and BGA Pin Capacitance
Notes
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0 MHz.
Parameter
Typ (Note 1)
Max (Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time (Note 7)
0.7
10
s
Excludes 00h programming
prior to erasure (Note 4)
Chip Erase Time (Note 8)
45
s
Byte Programming Time
9
300
s
Excludes system level overhead
Word Programming Time
11
360
s
Accelerated Byte/Word Programming Time
7
210
s
Chip Programming Time
Byte Mode
36
108
s
Word Mode
24
72
s
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Package
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0
TSOP
6
7.5
pF
BGA
4.2
5.0
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0
TSOP
8.5
12
pF
BGA
5.4
6.5
pF
CIN2
Control Pin Capacitance
VIN = 0
TSOP
7.5
9
pF
BGA
3.9
4.7
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29CD016G0JDEI004 | 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 67 ns, UUC76 |
| S29CD016G0JDEI007 | 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 67 ns, UUC76 |
| S29CD032J1JFAI122 | 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80 |
| S29CD032J1MFAN120 | 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80 |
| S29CD032J1MQFN133 | 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PQFP80 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29AS008J70BFI030 | 功能描述:閃存 8Mb 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29AS008J70BFI032 | 制造商:Spansion 功能描述:8 MEG CMOS 1.8 VOLT-ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY - Trays |
| S29AS008J70BFI042 | 制造商:Spansion 功能描述:8 MEG CMOS 1.8 VOLT-ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY - Trays |
| S29AS008J70TFI030 | 功能描述:閃存 8Mb 1.8V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29AS008J70TFI040 | 功能描述:閃存 8Mb 1.8V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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