參數(shù)資料
型號： S29AL032D90TFI043
廠商： SPANSION LLC
元件分類： PROM
英文描述： 32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory
中文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝： LEAD FREE, MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù)： 17/67頁
文件大小： 1708K
代理商： S29AL032D90TFI043
22
S29AL032D
S29AL032D_00_A8 November 2, 2006
Da ta
Sh e e t
Sector protection/unprotection can be implemented via two methods.
The primary method requires VID on the RESET# pin only, and can be implemented either in-system or via
programming equipment. Figure 7.1 on page 25 shows the algorithms and Figure 17.13 on page 57 shows
the timing diagram. This method uses standard microprocessor bus cycle timing. For sector unprotect, all
unprotected sectors must first be protected prior to the first sector unprotect write cycle.
The alternate method intended only for programming equipment requires VID on address pin A9 and OE#.
This method is compatible with programmer routines written for earlier 3.0-volt-only Spansion flash devices.
Details on this method are provided in a supplement, publication number 21468. Contact a Spansion
representative to request a copy.
Table 7.10 Sector Block Addresses for Protection/Unprotection — Model 00
Sector/Sector Block
A21–A16
Sector/Sector Block Size
SA0
000000
64 Kbytes
SA1-SA3
000001, 000010, 000011
192 (3x64) Kbytes
SA4-SA7
000100, 000101, 000110, 000111
256 (4x64) Kbytes
SA8-SA11
001000, 001001, 001010, 001011
256 (4x64) Kbytes
SA12-SA15
001100, 001101, 001110, 001111
256 (4x64) Kbytes
SA16-SA19
010000, 010001, 010010, 010011
256 (4x64) Kbytes
SA20-SA23
010100, 010101, 010110, 010111
256 (4x64) Kbytes
SA24-SA27
011000, 011001, 011010, 011011
256 (4x64) Kbytes
SA28-SA31
011100, 011101, 011110, 011111
256 (4x64) Kbytes
SA32-SA35
100000, 100001, 100010, 100011
256 (4x64) Kbytes
SA36-SA39
100100, 100101, 100110, 100111
256 (4x64) Kbytes
SA40-SA43
101000, 101001, 101010, 101011
256 (4x64) Kbytes
SA44-SA47
101100, 101101, 101110, 101111
256 (4x64) Kbytes
SA48-SA51
110000, 110001, 110010, 110011
256 (4x64) Kbytes
SA52-SA55
110100, 110101, 110110, 110111
256 (4x64) Kbytes
SA56-SA59
111000, 111001, 111010, 111011
256 (4x64) Kbytes
SA60-SA62
111100, 111101, 111110
192 (4x64) Kbytes
SA63
111111
64 Kbytes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29CD016G0JDEI004 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 67 ns, UUC76
S29CD016G0JDEI007 512K X 32 FLASH 2.7V PROM, 67 ns, UUC76
S29CD032J1JFAI122 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80
S29CD032J1MFAN120 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PBGA80
S29CD032J1MQFN133 1M X 32 FLASH 2.7V PROM, 54 ns, PQFP80
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29AS008J70BFI030 功能描述:閃存 8Mb 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29AS008J70BFI032 制造商:Spansion 功能描述:8 MEG CMOS 1.8 VOLT-ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY - Trays
S29AS008J70BFI042 制造商:Spansion 功能描述:8 MEG CMOS 1.8 VOLT-ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY - Trays
S29AS008J70TFI030 功能描述:閃存 8Mb 1.8V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29AS008J70TFI040 功能描述:閃存 8Mb 1.8V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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