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參數(shù)資料
| 型號： | RFP10P03L |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET(10A, 30V, 0.200 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 10 A, 30 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | RFP10P03L |
7-8
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
t
ON
10%
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= -1V
Q
g(-5)
V
GS
= -5V
Q
g(TOT)
V
GS
= -10V
V
DS
-V
GS
I
g(REF)
0
0
RFD10P03L, RFD10P03LSM, RFP10P03L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD10P03L | 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET(10A, 30V, 0.200 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
| RFD10P03LSM | 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET(10A, 30V, 0.200 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
| RFP10P15 | P-Channel Power MOSFET(P溝道增強(qiáng)模式功率MOS場效應(yīng)管) |
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| RFP12N10 | 12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| RFP10P15 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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| RFP-1-26-28-A5 | 制造商:Richco 功能描述:Ferrite core flat ribbon cable 26 wire |
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