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參數(shù)資料
| 型號： | RFG60P06E |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60A, 60V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET(60A, 60V, 0.030 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 60 A, 60 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | RFG60P06E |
4-159
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= -2V
Q
g(-10)
V
GS
= -10V
Q
g(TOT)
V
GS
= -20V
V
DS
-V
GS
I
G(REF)
0
0
RFG60P06E
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PDF描述 |
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