參數(shù)資料
型號(hào)： RFD3N08L
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 3A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 3 A, 80 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： RFD3N08L
6-31
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 1V
0
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
G(REF)
0
RFD3N08L, RFD3N08LSM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFD3N08LSM 3A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD4N06L 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD4N06LSM 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD4N06L 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD4N06LSM 4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFD3N08LSM 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RFD3N08LSM9A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RFD4N06L 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RFD4N06LSM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RFD4N06LSM9A 功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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