參數(shù)資料
型號(hào)： RF1K4909296
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 12V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
中文描述： 3.5 A, 12 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大?。?/td> 459K
代理商： RF1K4909296
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RF1K49092 Rev. B
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms (N-Channel)
(Continued)
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
g(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 1V
0
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Typical Performance Curves (P-Channel)
FIGURE 22. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 23. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
FIGURE 24. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
00
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
-2.0
-1.0
-0.5
0
25
50
75
100
125
150
-1.5
-3.0
-2.5
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-3
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
10
0.1
1
10
-2
10
3
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
RF1K49092
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1K49092 3.5A/2.5A, 12V, 0.050/0.130 Ohm, Logic Level, Complementary LittleFET⑩ Power MOSFET
RF1K49092 Logic Level Complementary power MOSFET(邏輯電平可補(bǔ)償功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RF1K49093 2.5A, 12V, 0.130 Ohm, Logic Level, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
RF1K49154 2A, 60V, 0.130 Ohm, Dual N-Channel, LittleFET⑩ Power MOSFET
RF1K49154 2A, 60V, 0.130 Ohm, Dual N-Channel, LittleFET⑩ Power MOSFET
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參數(shù)描述
RF1K49093 功能描述:MOSFET SOIC-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K4909396 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K49154 功能描述:MOSFET USE 512-FDS9945 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K4915496 功能描述:MOSFET USE 512-FDS9945 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1K49156 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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