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參數(shù)資料
| 型號： | RD38F1020C0ZTL0 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 8/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD38F1020C0ZTL0 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
8
Datasheet
programanderaseoperations,includingverification,therebyunburdeningthemicroprocessoror
microcontroller.Theflash’sstatusregisterindicatesthestatusoftheWSMbysignifyingblock
eraseorwordprogramcompletionandstatus.
Flashprogramanderaseautomationallowsprogramanderaseoperationstobeexecutedusingan
industry-standardtwo-writecommandsequencetotheCUI.Programoperationsareperformedin
wordincrements.Eraseoperationserasealllocationswithinablocksimultaneously.Bothprogram
anderaseoperationscanbesuspendedbythesystemsoftwareinordertoreadfromanyotherflash
block.Inaddition,datacanbeprogrammedtoanotherflashblockduringanerasesuspend.
TheC3Stacked-CSPmemorydeviceofferstwolow-powersavingsfeatures:AutomaticPower
Savings(APS)forflashmemoryandstandbymodeforflashandSRAM.Thedeviceautomatically
entersAPSmodefollowingthecompletionofareadcyclefromtheflashmemory.Standbymode
isinitiatedwhenthesystemdeselectsthedevicebydrivingF-CE#andS-CS1#or
S-CS2inactive.Powersavingsfeaturessignificantlyreducepowerconsumption.
TheflashmemorycanberesetbyloweringF-RP#toGND.ThisprovidesCPU-memoryreset
synchronizationandadditionalprotectionagainstbusnoisethatmayoccurduringsystemresetand
power-up/-downsequences.
1.3
PackageBallout
72-
NOTES:
1. FlashupgradeballsareshownuptoA21(64-Mbitflash)andA22(128-Mbitflash).InallflashandSRAM
combinations,66ballsarepopulatedonlowerdensitydevices.(Upperaddressballsarenotpopulated).Ball
locationA10is“NC”on16/2devicesonly.
Figure1. 66-BallStackedChipScalePackage
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
A
20
A
11
A
15
A
14
A
13
A
12
A
16
A
8
A
10
A
9
DQ
15
S-WE#
F-WE# NC
A
21
DQ
13
DQ
6
S-V
SS
F-WP#
A
19
DQ
11
DQ
10
S-LB# S-UB# S-OE#
DQ
9
DQ
8
A
18
A
17
A
7
A
6
A
3
A
2
NC
NC
A
5
A
4
A
0
F-CE# F-V
SS
F-RP# A
22
DQ
12
S-CS
2
9
10
11
12
F-V
SS
NC
DQ
14
DQ
7
DQ
4
DQ
5
DQ
2
DQ
3
DQ
0
DQ
1
A
1
S-CS
1
#
F-OE# NC
NC
S-V
CC
F-V
CC
TopView,BallsDown
F-V
CCQ
F-V
PP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD38F1010C0ZBL0 | CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes |
| RD28F1604C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD38F1020C0ZTL0A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Trays |
| RD38F1020C0ZTL0B | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Tape and Reel |
| RD38F1020C0ZTL0SB93 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| RD38F1020W0YBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1020W0YBQ0SB93 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 65NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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