參數(shù)資料
型號： RD38F1020C0ZTL0
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲器
英文描述： 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁數(shù)： 24/70頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商： RD38F1020C0ZTL0
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
24
Datasheet
5.0
ElectricalSpecifications
5.1
AbsoluteMaximumRatings
Warning:
Stressingthedevicebeyondthe“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamage.
Thesearestressratingsonly.Operationbeyondthe“OperatingConditions”isnotrecommended
andextendedexposurebeyondthe“OperatingConditions”mayaffectdevicereliability.
NOTICE:
Thisdatasheetcontainsinformationonproductsinfullproduction.Thespecificationsaresubjectto
changewithoutnotice.VerifywithyourlocalIntelSalesofficethatyouhavethelatestdatasheetbeforefinalizinga
design
.
Table9. AbsoluteMaximumRatings
Parameter
MaximumRating
Notes
ExtendedOperatingTemperature
–25°Cto+85°C
DuringRead
DuringFlashBlockEraseandProgram
TemperatureunderBias
StorageTemperature
–65°Cto+125°C
VoltageonAnyBall(exceptF-VCC
/F-VCCQ
/S-VCC
andF-VPP)with
RespecttoGND
–0.5 Vto+3.3 V
1
F-V
PP
Voltage(forBlockEraseandProgram)withRespecttoGND
–0.5Vto+13.5 V
1,2,4
F-V
CC
/F-V
CCQ
/S-V
CC
SupplyVoltagewithRespecttoGND
–0.2Vto+3.3 V
OutputShortCircuitCurrent
100mA
3
NOTES:
1. MinimumDCvoltageis–0.5 Voninput/outputballs.Duringtransitions,thislevelmayundershootto–
2.0 Vforperiods<20 ns.MaximumDCvoltageoninput/outputballsisF-V
CC
/F-V
CCQ
/S-V
CC
+0.5 V
which,duringtransitions,mayovershootto
F-V
CC
/F-V
CCQ
/S-V
CC
+2.0 Vforperiods< 20ns.
2. MaximumDCvoltageonF-V
PP
mayovershootto+14.0 Vforperiods<20ns.
3. F-V
PP
voltageisnormally1.65 V–3.3 V.Connectiontosupplyof11.4 V–12.6 Vcanonlybedonefor
1000cyclesonthemainblocksand2500cyclesontheparameterblocksduringprogram/erase.F-V
PP
maybeconnectedto12 Vforatotalof80hoursmaximum.See
Section4.2.1
fordetails
4. Outputshortedfornomorethanonesecond.
Nomorethanoneoutputshortedatatime.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RD38F1010C0ZBL0 CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes
RD28F1604C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3208C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3BD70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RD38F1020C0ZTL0A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Trays
RD38F1020C0ZTL0B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Tape and Reel
RD38F1020C0ZTL0SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
RD38F1020W0YBQ0 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP)
RD38F1020W0YBQ0SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 65NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*