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參數(shù)資料
| 型號： | RD38F1020C0ZTL0 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 44/70頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD38F1020C0ZTL0 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
44
Datasheet
NOTES:
1. Substrateconnectionsrefertoballoutlocationsshownin
Figure1,“66-BallStackedChipScalePackage”on
page 8
.
2. 0.1
μ
fcapacitorsshouldbeusedwithD9,D10,A10andE4.
3. SomeSRAMdevicesdonothaveaS-VSSQ;inthiscase,thispadisaS-VSS.
4. SomeSRAMdevicesdonothaveaS-VSSQ;inthiscase,thispadisaVCC.
7.4
SimultaneousOperation
ThetermsimultaneousoperationinusedtodescribetheabilitytoreadorwritetotheSRAMwhile
alsoprogrammingorerasingflash.Inaddition,F-CE#,S-CS1#andS-CS2shouldnotbeenabledat
thesametime.(See
Table 2,“3VoltIntelAdvanced+BootBlockStacked-CSPBall
Descriptions”onpage 9
forasummaryofrecommendedoperatingmodes.)Simultaneous
operationofthecanbesummarizedbythefollowing:
SRAMread/writeareduringaFlashProgramorEraseOperationareallowed.
SimultaneousBusOperationsbetweentheFlashandSRAMare
not
allowed(becauseofbus
contention).
Figure13.TypicalFlash+SRAMSubstratePowerandGroundConnections
S-V
SSQ
D10
SRAMDIE
FLASHDIE
SUBSTRATE
XX
S-X
F-X
Substrateconnectiontopackageball
SRAMdiebondpadconnection
Flashdiebondpadconnection
S-V
CCQ
S-V
CC
S-V
SS
F-V
PP
F-V
SSQ
F-V
CC
F-V
CCQ
F-V
SS
H8
A9
D9
E4
D3
A10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD38F1010C0ZBL0 | CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes |
| RD28F1604C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD38F1020C0ZTL0A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Trays |
| RD38F1020C0ZTL0B | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Tape and Reel |
| RD38F1020C0ZTL0SB93 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| RD38F1020W0YBQ0 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) |
| RD38F1020W0YBQ0SB93 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 65NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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