參數(shù)資料
型號： RD38F1020C0ZTL0
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲器
英文描述： 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁數(shù)： 35/70頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商： RD38F1020C0ZTL0
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
35
5.9
SRAMACCharacteristics—ReadOperations
Table17. SRAMACCharacteristics—ReadOperations
(1)
#
Sym
Parameter
Density
2/4/8-Mbit
Unit
VoltageRange
2.7V–3.3V
Note
Min
Max
R1
t
RC
ReadCycleTime
70
–
ns
R2
t
AA
AddresstoOutputDelay
–
70
ns
R3
t
CO1,
t
CO2
t
OE
S-CS1#,S-CS2toOutputDelay
–
70
ns
R4
S-OE#toOutputDelay
–
35
ns
R5
t
BA
S-UB#,LB#toOutputDelay
–
70
ns
R6
t
LZ1
,t
LZ2
t
OLZ
S-CS1#,S-CS2toOutputinLowZ
2,3
5
–
ns
R7
S-OE#toOutputinLowZ
3
0
–
ns
R8
t
HZ1
,t
HZ2
S-CS1#,S-CS2toOutputinHighZ
2,3,4
0
25
ns
R9
t
OHZ
S-OE#toOutputinHighZ
3,4
0
25
ns
R10
t
OH
OutputHoldfromAddress,S-CS1#,
S-CS2,orS-OE#Change,WhicheverOccurs
First
0
–
ns
R11
t
BLZ
S-UB#,S-LB#toOutputinLowZ
3
0
–
ns
R12
t
BHZ
S-UB#,S-LB#toOutputinHighZ
3
0
25
ns
NOTE:
1. See
Figure9,“ACWaveform:SRAMReadOperations”onpage 36
.
2. Atanygiventemperatureandvoltagecondition,t
HZ
(Max)islessthanandt
LZ
(Max)bothforagiven
deviceandfromdevicetodeviceinterconnection.
3. Sampled,butnot100%tested.
4. Timingsoft
andt
aredefinedasthetimeatwhichtheoutputsachievetheopencircuitconditions
andarenotreferencedtooutputvoltagelevels.
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PDF描述
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