參數(shù)資料
型號： RD38F1020C0ZBL0
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲器
英文描述： 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁數(shù)： 55/70頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商： RD38F1020C0ZBL0
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
55
B.5
SystemInterfaceInformation
Table25. SystemInterfaceInformation
Offset
Length
Description
Addr.
Hex
Code
Value
1Bh
1
V
CC
logicsupplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
logicsupplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
[programming]supplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
V
PP
[programming]supplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
“n”suchthattypicalsinglewordprogramtime-out=2
n
μs
V
logicsupplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
CC
logicsupplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
[programming]supplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
V
[programming]supplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
“n”suchthattypicalsinglewordprogramtime-out=2
n
μs
V
logicsupplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
logicsupplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
PP
[programming]supplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
“n”suchthattypicalmax.bufferwritetime-out=2
n
μs
“n”suchthattypicalblockerasetime-out=2
n
ms
“n”suchthattypicalfullchiperasetime-out=2
n
ms
“n”suchthatmaximumwordprogramtime-out=2
n
timestypical
“n”suchthatmaximumbufferwritetime-out=2
n
timestypical
“n”suchthatmaximumblockerasetime-out=2
n
timestypical
“n”suchthatmaximumchiperasetime-out=2
n
timestypical
1B:
--27
2.7V
1Ch
1
1C:
--36
3.3V
1Dh
1
1D:
--B4
11.4V
1Eh
1
1E:
--C6
12.6V
1Fh
1
1F:
--05
32μs
1Bh
1
1B:
--27
2.7V
1Ch
1
1C:
--36
3.3V
1Dh
1
1D:
--B4
11.4V
1Eh
1
1E:
--C6
12.6V
1Fh
1
1F:
--05
32μs
1Bh
1
1B:
--27
2.7V
1Ch
1
1C:
--36
3.3V
1Dh
1
1D:
--B4
11.4V
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
1
1
1
1
1
1
1
20:
21:
22:
23:
24:
25:
26:
--00
--0A
--00
--04
--00
--03
--00
n/a
1s
n/a
512μs
n/a
8s
NA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RD28F3208C3B70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3204C3B70 TVS BIDIRECT 400W 18V SMA
RD28F1602C3B70 TVS 400W 20V UNIDIRECT SMA
RD28F1604C3B90 TVS UNI-DIR 9.0V 400W SMA
RD28F1602C3B90 TVS UNIDIRECT 400W 90V SMA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RD38F1020C0ZBL0SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
RD38F1020C0ZTL0 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD38F1020C0ZTL0A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Trays
RD38F1020C0ZTL0B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Tape and Reel
RD38F1020C0ZTL0SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*