參數(shù)資料
型號： RD28F6408W30T70
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲器
英文描述： 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80
封裝： 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80
文件頁數(shù)： 77/82頁
文件大小： 749K
代理商： RD28F6408W30T70
28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
71
C.5
Device Geometry Definition
Table C7. Device Geometry Definition
Offset
27h
Length
1
Description
Code
See table below
“
n
”
such that device size = 2
in number of bytes
Flash device interface code assignment:
"n" such that n+1 specifies the bit field that represents the flash
device width capabilities as described in the table:
27:
7
6
5
4
3
2
1
0
28h
2
x1K
15
—
“
n
”
such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
x512
14
—
x256
13
—
x128
12
—
x64
11
—
x32
10
—
x16
9
—
x8
8
—
28:
--01
x16
29:
2A:
2B:
2C:
--00
--00
--00
2Ah
2
0
2Ch
1
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information - Bottom paramenter device
Erase Block Region x-3 Information - Top Paramenter device
bits 0
–
15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16
–
31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2D:
2E:
2F:
30:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0
–
15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16
–
31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
31:
32:
33:
34:
35h
4
Erase Block Region 3-x Information for Bottom parameter device 35:
Erase Block Region 1 Information for Top paramenter device
bits 0
–
15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16
–
31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
36:
37:
38:
See table below
Number of erase block regions within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in
“
bulk
”
2. x specifies the number of device or partition regions
with one or more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
4. Partition size = (total blocks) x (individual block size)
See table below
See table below
See table below
Address
16 Mbit
32 Mbit
–
B
--15
--01
--00
--00
--00
--05
--07
--00
--20
--00
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--00
--01
–
T
--15
--01
--00
--00
--00
--05
--07
--00
--00
--01
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–
B
--16
--01
--00
--00
--00
--09
--07
--00
--20
--00
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--00
--01
–
T
--16
--01
--00
--00
--00
--09
--07
--00
--00
--01
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–
B
--17
--01
--00
--00
--00
--11
--07
--00
--20
--00
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--00
--01
–
T
--17
--01
--00
--00
--00
--11
--07
--00
--00
--01
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–
B
--18
--01
--00
--00
--00
--21
--07
--00
--20
--00
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--00
--01
–
T
--18
--01
--00
--00
--00
--21
--07
--00
--00
--01
--06
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
64 Mbit
128 Mbit
相關PDF資料
PDF描述
RD28F6408W30T85 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD30HUF1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
RD38F1020C0ZTL0 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD38F1010C0ZBL0 CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes
RD28F1604C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
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參數(shù)描述
RD28F6408W30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28S-6/206708 功能描述:BLWR DUAL CENT 470X378MM 230VAC RoHS:是 類別:風扇，熱管理 >> 風扇 - AC 系列:RD28S 其它有關文件:Declaration of Conformity 標準包裝:1 系列:- 氣流:- 軸承類型:- 風扇類型:- 特點:- 雜訊:- 功率（瓦特）:- RPM:- 尺寸/尺寸:- 靜態(tài)壓力:- 端子:- 電壓 - 額定:- 重量:- 額定電流:- 預期壽命:- 工作溫度:- 電壓范圍:- 其它名稱:Q5464961
RD28S-6206708 制造商:EBMPAPST 制造商全稱:ebm-papst 功能描述:CENTRIFUGAL BLOWER
RD2A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
RD2A337M12025PL 制造商:Samwha Electronics 功能描述:Radial Capacitor - 330uF 100V
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