- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374575 > RD28F6408W30T70 (INTEL CORP) 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | RD28F6408W30T70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80 |
| 封裝： | 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 61/82頁 |
| 文件大小： | 749K |
| 代理商： | RD28F6408W30T70 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁當前第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁
28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
55
13.2
SRAM Write Operation
NOTES:
1. See
Figure 26,
“
AC Waveform: SRAM Write Operation
”
on page 56
.
2. A write occurs during the overlap (t
) of low S-CS
# and low S-WE#. A write begins when S-CS
# goes low
and S-WE# goes low with asserting S-UB# and S-LB# for x16 operation. S-UB# and S-LB# must be tied
together to restrict x16 mode. A write ends at the earliest transition when S-CS
1
# goes high and S-WE# goes
high. The t
is measured from the beginning of write to the end of write.
3. t
CW
is measured from S-CS
# going low to end of write.
4. t
AS
is measured from the address valid to the beginning of write.
5. t
is measured from the end of write to the address change; t
WR
applied in case a write ends as S-CS
1
# or
S-WE# going high.
#
Sym
Parameter
1
Density
4/8 Mbit
Unit
S-V
CC
2.2 V
–
3.3 V
Speed
-70
-85
Note
Min
Max
Min
Max
W1
t
WC
Write Cycle Time
2
70
–
85
–
ns
W2
t
AS
Address Setup to S-WE# (S-CS
1
#) and S-UB#, S-LB# Going Low
4
0
–
0
–
ns
W3
t
WP
S-WE# (S-CS
1
#) Pulse Width
3
55
–
60
–
ns
W4
t
DW
Data to Write Time Overlap
30
–
35
–
ns
W5
t
AW
Address Setup to S-WE# (S-CS
1
#) Going High
60
–
70
–
ns
W6
t
CW
S-SC
# (S-WE#) Setup to S-WE# (S-CS
1
#) Going High and S-SC
2
Going Low
60
–
70
–
ns
W7
t
DH
Data Hold Time from S-WE# (S-CS
1
#) High
0
–
0
–
ns
W8
t
WR
Write Recovery
5
0
–
0
–
ns
W9
t
BW
S-UB#, S-LB# Setup to S-WE# (S-CS
1
#) Going High
60
–
70
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F6408W30T85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD30HUF1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| RD38F1020C0ZTL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1010C0ZBL0 | CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes |
| RD28F1604C3T90 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F6408W30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28S-6/206708 | 功能描述:BLWR DUAL CENT 470X378MM 230VAC RoHS:是 類別:風(fēng)扇，熱管理 >> 風(fēng)扇 - AC 系列:RD28S 其它有關(guān)文件:Declaration of Conformity 標準包裝:1 系列:- 氣流:- 軸承類型:- 風(fēng)扇類型:- 特點:- 雜訊:- 功率（瓦特）:- RPM:- 尺寸/尺寸:- 靜態(tài)壓力:- 端子:- 電壓 - 額定:- 重量:- 額定電流:- 預(yù)期壽命:- 工作溫度:- 電壓范圍:- 其它名稱:Q5464961 |
| RD28S-6206708 | 制造商:EBMPAPST 制造商全稱:ebm-papst 功能描述:CENTRIFUGAL BLOWER |
| RD2A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes |
| RD2A337M12025PL | 制造商:Samwha Electronics 功能描述:Radial Capacitor - 330uF 100V |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。