參數(shù)資料
型號(hào)： RD28F6408W30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80
封裝： 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80
文件頁(yè)數(shù)： 44/82頁(yè)
文件大?。?/td> 749K
代理商： RD28F6408W30B85
28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
38
Preliminary
NOTES:
1. AC test inputs are driven at V
for a Logic “1” and 0.0 V for a Logic “0.” Input timing begins, and output
timing ends, at V
CCQ
/2. Input rise and fall times (10% to 90%) < 5 ns. Worst case speed conditions are when
V
= V
Min.
2. Timing conditions apply to both flash and SRAM.
NOTES:
1. See table for component values.
2. Test configuration component value for worst case speed conditions.
3. C
L
includes jig capacitance.
11.4
Discrete Capacitance
(32-Mbit VF BGA Package)
T
A
= +25°C, f = 1 MHz
NOTE:
1. Sampled, not 100% tested.
Figure 12. AC Input/Output Reference Waveform
V
CCQ
0V
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
Test Points
Input
Output
Figure 13. Transient Equivalent Testing Load Circuit
Device
Under Test
V
CCQ
C
L
R
2
R
1
Out
Test Configuration
C
L
(pF)
R
1
(
)
R
2
(
)
V
CCQ
Min Standard Test
30
25K
25K
Sym
Parameter
(1)
Typ
Max
Unit
Condition
C
IN
Input Capacitance
6
8
pF
V
IN
= 0.0 V
C
OUT
Output Capacitance
8
12
pF
V
OUT
= 0.0 V
C
CE
CE# Input Capacitance
10
12
pF
V
IN
= 0.0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RD28F6408W30T70 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F6408W30T85 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
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RD38F1020C0ZTL0 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD38F1010C0ZBL0 CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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RD2A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
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