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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F6408W30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80 |
| 封裝： | 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 21/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | RD28F6408W30B85 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
15
n: # of Clock periods (rounded up to the next integer)
*
Must use LC = n - 1 when the starting address is
not
aligned to a four-word boundary and CR.3 =
1 (No Wrap).
NOTE:
1. The 16-word boundary is the end of device word-line.
Parameters defined by CPU
:
t
ADD-DELAY
= Clock to CE#, ADV#, or Address Valid whichever occurs last.
t
DATA
= Data set up to Clock.
Parameters defined by flash
:
t
AVQV
= Address to Output Delay.
Example:
CPU Clock Speed = 52 MHz
t
ADD-DELAY
= 6 ns (typical speed from CPU) (max)
t
DATA
= 4 ns (typical speed from CPU) (min)
t
AVQV
= 70 ns (from AC Characteristic - Read Only Operations Table)
From Eq. (1):
1/52 (MHz) = 19.2 ns
From Eq. (2)
n(19.2 ns)
≥
70 ns + 6 ns + 4 ns
n(19.2 ns)
≥
80 ns
n
≥
80/19.2 = 4.17
=
5 (Integer)
From Eq. (3)
n - 2 = 5 - 2 = 3
First Access Latency Count Setting to the CR is Code 3.
(
Figure 6,
“
Data Output with LC Setting at Code 3
”
on page 16
displays example data)
Table 8. First Latency Count (LC)
LC Setting
Mode
Wrap
Aligned to 4-word
Boundary
Wait Asserted on 16-Word
Boundary Crossing
n-1
4 or 8
disabled
no
yes, occurs on every occurrence
n-2
4 or 8
disabled
yes
no
n-2
4 or 8
enabled
no
no
n-2
4 or 8
enabled
yes
no
n-1
continuous
X
X
yes, occurs once
Figure 5. Word Boundary
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B C D E
F
16 Word Boundary
Word 0 - 3
Word 4 - 7
Word 8 - B
Word C - F
4 Word Boundary
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F6408W30T70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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