- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374575 > RD28F3208C3T90 (INTEL CORP) 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD28F3208C3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 46/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | RD28F3208C3T90 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)當(dāng)前第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
46
Datasheet
AppendixAProgram/EraseFlowcharts
Figure15.AutomatedWordProgrammingFlowchart
Start
Write40H
ProgramAddress/Data
ReadStatusRegister
SR.7=1
FullStatus
CheckifDesired
ProgramComplete
ReadStatusRegister
Data(SeeAbove)
V
PP
RangeError
ProgrammingError
AttemptedProgramto
LockedBlock-Aborted
ProgramSuccessful
SR.3=
SR.4=
SR.1=
FULLSTATUSCHECKPROCEDURE
BusOperation
Write
Write
Standby
Repeatforsubsequentprogrammingoperations.
SRFullStatusCheckcanbedoneaftereachprogramorafterasequenceof
programoperations.
WriteFFHafterthelastprogramoperationtoresetdevicetoreadarraymode.
BusOperation
Standby
Standby
SR.3MUSTbecleared,ifsetduringaprogramattempt,beforefurther
attemptsareallowedbytheWriteStateMachine.
SR.1,SR.3andSR.4areonlyclearedbytheClearStausRegisterCommand,
incaseswheremultiplebytesareprogrammedbeforefullstatusischecked.
Ifanerrorisdetected,clearthestatusregisterbeforeattemptingretryorother
errorrecovery.
No
Yes
1
0
1
0
1
0
Command
ProgramSetup
Program
Comments
Data=40H
Data=DatatoProgram
Addr=LocationtoProgram
CheckSR.7
1=WSMReady
0=WSMBusy
Command
Comments
CheckSR.3
1=V
PP
LowDetect
CheckSR.1
1=AttemptedProgramto
LockedBlock-Program
Aborted
Read
StatusRegisterDataToggle
CE#orOE#toUpdateStatus
RegisterData
Standby
CheckSR.4
1=V
PP
ProgramError
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F1602C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F1604C3BD70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1010C0ZTL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD38F1020C0ZBL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| RD28F3208C3B70 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F6408W30B70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30B85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28S-6/206708 | 功能描述:BLWR DUAL CENT 470X378MM 230VAC RoHS:是 類別:風(fēng)扇，熱管理 >> 風(fēng)扇 - AC 系列:RD28S 其它有關(guān)文件:Declaration of Conformity 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 氣流:- 軸承類型:- 風(fēng)扇類型:- 特點(diǎn):- 雜訊:- 功率（瓦特）:- RPM:- 尺寸/尺寸:- 靜態(tài)壓力:- 端子:- 電壓 - 額定:- 重量:- 額定電流:- 預(yù)期壽命:- 工作溫度:- 電壓范圍:- 其它名稱:Q5464961 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。