參數(shù)資料
型號(hào)： RC28F256P33T85A
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64
封裝： BGA-64
文件頁數(shù)： 71/96頁
文件大小： 1378K
代理商： RC28F256P33T85A
November 2007
Datasheet
Order Number: 314749-05
73
Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Figure 37: Block Erase Flowchart
Start
FULL ERASE STATUS CHECK PROCEDURE
Repeat for subsequent block erasures.
Full Status register check can be done after each block erase
or after a sequence of block erasures.
Write 0xFF after the last operation to enter read array mode.
Only the Clear Status Register command clears SR[1, 3, 4, 5].
If an error is detected, clear the Status register before
attempting an erase retry or other error recovery.
No
Suspend
Erase
1
0
1
1,1
1
0
Yes
Suspend
Erase
Loop
0
Write 0x20,
Block Address
Write 0xD0,
Block Address
Read Status
Register
SR[7] =
Full Erase
Status Check
(if desired)
Block Erase
Complete
Read Status
Register
Block Erase
Successful
SR[1] =
Block Locked
Error
BLOCK ERASE PROCEDURE
Bus
Operation Command
Comments
Write
Block
Erase
Setup
Data = 0x20
Addr = Block to be erased (BA)
Write
Erase
Confirm
Data = 0xD0
Addr = Block to be erased (BA)
Read
None
Status Register data.
Idle
None
Check SR[7]:
1 = WSM ready
0 = WSM busy
Bus
Operation
Command
Comments
SR[3] =
V
PP Range
Error
SR[4,5] =
Command
Sequence Error
SR[5] =
Block Erase
Error
Idle
None
Check SR[3]:
1 = V
PP Range Error
Idle
None
Check SR[4,5]:
Both 1 = Command Sequence Error
Idle
None
Check SR[5]:
1 = Block Erase Error
Idle
None
Check SR[1]:
1 = Attempted erase of locked block;
erase aborted.
(Block Erase)
(Erase Confirm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RC28F160C3TC90 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
RC28F160C3BD70 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64
RC4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
RM4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
RC4194D DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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RC28F256P33TFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
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