參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN003-30B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 30 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 291K
代理商： PSMN003-30B
Philips Semiconductors
PSMN003-30 series
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 23 October 2001
7 of 13
9397 750 08316
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03af65
0
1
2
3
4
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
(oC)
V
GS(th)
(V)
max
min
typ
03af66
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
I
D
(A)
min
typ
max
03af55
102
103
104
105
10-1
1
10
102
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
oss
C
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