參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN004-36B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
文件大小： 294K
代理商： PSMN004-36B
PSMN004-36P/36B
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 19 November 2001
Product data
1.
Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
PSMN004-36P in SOT78 (TO-220AB)
PSMN004-36B in SOT404 (D
2
-PAK).
2.
Features
I
Very low on-state resistance
I
Fast switching.
3.
Applications
I
DC to DC converters
I
Switch mode power supplies.
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
1.
TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
drain (d)
source (s)
drain (d)
Symbol
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2-
PAK)
[1]
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSMN004-36P N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN004-55W N-channel logic level TrenchMOS transistor
PSMN004-60P N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN005-25D N-channel logic level TrenchMOS transistor
PSMN005-55B N-channel logic level TrenchMOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSMN004-36B /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN004-36B,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN004-36P 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN004-55W 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN004-55W,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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