參數(shù)資料
型號： PSMN003-30B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 30 V, 0.004 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大小： 291K
代理商： PSMN003-30B
Philips Semiconductors
PSMN003-30 series
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 23 October 2001
4 of 13
9397 750 08316
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Figure 4
Value
0.65
Unit
K/W
vertical in still air; SOT78 package
mounted on a printed circuit board; minimum
footprint; SOT404 package
60
50
K/W
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03af48
10-3
10-2
10-1
1
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSMN003-30P N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN004-25B N-channel logic level TrenchMOS transistor
PSMN004-25P N-channel logic level TrenchMOS transistor
PSMN004-36B N-channel enhancement mode field-effect transistor
PSMN004-36P N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSMN003-30B /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN003-30B,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN003-30B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D2-PAK
PSMN003-30P 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PSMN003-30P,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*