參數(shù)資料
型號： PSD854F2V-15M
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 256K X 8 FLASH, 27 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, PQFP52
封裝： PLASTIC, QFP-52
文件頁數(shù)： 86/109頁
文件大?。?/td> 908K
代理商： PSD854F2V-15M
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
PSD813F2V, PSD854F2V
78/109
Doc ID 10552 Rev 3
Table 45. DC Characteristics (5V devices)
Note: 1. Reset (RESET) has hysteresis. VIL1 is valid at or below 0.2VCC –0.1. VIH1 is valid at or above 0.8VCC.
2. CSI deselected or internal Power-down mode is active.
3. PLD is in non-Turbo mode, and none of the inputs are switching.
4. Please see Figure 35., page 72 for the PLD current calculation.
5. IOUT = 0mA
Table 46. DC Characteristics (3V devices)
Symbol
Parameter
Test Condition
(in addition to those in
Min.
Typ.
Max.
Unit
VIH
Input High Voltage
4.5 V < VCC < 5.5 V
2
VCC +0.5
V
VIL
Input Low Voltage
4.5 V < VCC < 5.5 V
–0.5
0.8
V
VIH1
Reset High Level Input Voltage
(Note 1)
0.8VCC
VCC +0.5
V
VIL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
–0.5
0.2VCC –0.1
V
VHYS
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
VLKO
VCC (min) for Flash Erase and
Program
2.5
4.2
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 20A, VCC = 4.5 V
0.01
0.1
V
IOL = 8mA, VCC = 4.5 V
0.25
0.45
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –20A, VCC = 4.5 V
4.4
4.49
V
IOH = –2mA, VCC = 4.5 V
2.4
3.9
V
ILI
Input Leakage Current
VSS < VIN < VCC
–1
±0.1
1
A
ILO
Output Leakage Current
0.45 < VOUT < VCC
–10
±5
10
A
ICC (DC)
(Note 5)
Operating
Supply
Current
PLD Only
PLD_TURBO = Off,
f = 0 MHz (Note 5)
0
A/PT
PLD_TURBO = On,
f = 0 MHz
400
700
A/PT
Flash memory
During Flash memory
WRITE/Erase Only
15
30
mA
Read only, f = 0 MHz
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
mA
ICC (AC)
(Note 5)
PLD AC Adder
note 4
Flash memory AC Adder
2.5
3.5
mA/
MHz
SRAM AC Adder
1.5
3.0
mA/
MHz
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VIH
High Level Input Voltage
3.0 V < VCC < 3.6 V
0.7VCC
VCC +0.5
V
VIL
Low Level Input Voltage
3.0 V < VCC < 3.6 V
–0.5
0.8
V
VIH1
Reset High Level Input Voltage
(Note 1)
0.8VCC
VCC +0.5
V
VIL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
–0.5
0.2VCC –0.1
V
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