參數(shù)資料
型號(hào)： PMWD26UN
英文描述： 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： 雙uTrenchMOS（TM）超低水平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 240K
代理商： PMWD26UN
Philips Semiconductors
PMWD26UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 22 January 2003
3 of 12
9397 750 10834
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature.
T
sp
= 25
°
C; I
DM
is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa17
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
Tsp (
°
C)
Pder
03aa25
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tsp (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa266
10-2
10-1
1
10
102
10-1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
tp = 10 μs
1 s
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102 Silicon planar type
PN101 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40° to +125°C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PMWD26UN,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD26UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
PMWD30UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
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PMWD30UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
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