參數(shù)資料
型號： PMV56XN
英文描述： uTrenchMOS (tm) extremely low level FET
中文描述： uTrenchMOS（TM）極低電平場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 234K
代理商： PMV56XN
Philips Semiconductors
PMV56XN
μ
TrenchMOS extremely low level FET
Product data
Rev. 01 — 26 February 2003
8 of 12
9397 750 11096
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 3.6 A; V
DD
= 10 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ae97
0
2
4
6
8
10
IS
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
Tj = 25
°
C
150
°
C
VGS = 0 V
03ae99
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 3.6 A
Tj = 25 C
VDD = 10 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PMV56XN,215 功能描述:MOSFET LOW LEVEL FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMV56XN@215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.76A 3-Pin TO-236AB T/R
PMV56XN215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 3.76A SOT23
PMV60EN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-23
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