參數(shù)資料
型號： PMV56XN
英文描述： uTrenchMOS (tm) extremely low level FET
中文描述： uTrenchMOS（TM）極低電平場效應晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： PMV56XN
Philips Semiconductors
PMV56XN
μ
TrenchMOS extremely low level FET
Product data
Rev. 01 — 26 February 2003
7 of 12
9397 750 11096
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03ag05
0
0.4
0.8
1.2
-60
0
60
120
180
T
j
(oC)
V
GS(th)
(V)
min
typ
03ah78
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
I
D
(A)
0
0.4
0.8
1.2
V
GS
(V)
min
typ
03ae98
10
102
103
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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參數(shù)描述
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