參數(shù)資料
型號： PHW7N60
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 7 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： PHW7N60
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHW7N60
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5 g
Fig.19. SOT429 (TO247); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT429 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
5.3
4.0
max
21
max
15.5
min
1
2.2 max
3.2 max
0.4
2.5
0.9 max
5.3 max
3.5
16 max
5.45
seating
plane
5.45
M
o
15.5
max
2
3
1.1
3.5
max
1.8
7.3
June 1997
6
Rev 1.000
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