參數(shù)資料
型號(hào)： PHU2N50E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 2 A, 500 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： PLASTIC, IPAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： PHU2N50E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHU2N50E
Fig.19. Peak body recovery voltage dV/dt. The dV/dt
= f(I
DS
). The dI/dt is 100A/
μ
s.
0.4
0.8
1
5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
Ids (A)
dV/dt (V/ns)
May 1999
7
Rev 1.000
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PHU-332T 制造商:Citizen Systems America Corporation 功能描述:Paper Holder, PPU-700, 2 PNE Sensor, Top paper load
PHU66NQ03LT 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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