參數(shù)資料
型號： PHU2N50E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 2 A, 500 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： PLASTIC, IPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： PHU2N50E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHU2N50E
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
mb
= 25C
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
2
A
T
mb
= 25C
-
-
8
A
I
S
= 2 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 2 A; V
GS
= 0 V; dI/dt = 100 A/
μ
s
-
-
-
-
1.2
-
-
V
ns
μ
C
300
2.1
May 1999
3
Rev 1.000
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PDF描述
PHW11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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PHU-332T 制造商:Citizen Systems America Corporation 功能描述:Paper Holder, PPU-700, 2 PNE Sensor, Top paper load
PHU66NQ03LT 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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