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參數(shù)資料
| 型號： | PHT6N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管標準電平場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | PHT6N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT6N06T
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.20. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
September 1997
9
Rev 1.000
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